
对于客断巴烧故障分析而言,微光显微镜来自(Emission Microscope, EMMI)是一种相当有用且效率极高的分析工具。主要侦测层制IC内部所放出光子。在IC元件中,EHP(Ele呀指这名环使ctron Hole Pairs) Recombination会放出光子(Photon)。举例说明:在P-N 结加偏压,此时N阱的电子很容易扩散到P阱,而P的空脸她旧更如变穴也容易扩散至N然后与P端的空穴(或N端的电360百科子)做 EHP Recombination。
- 中文名称 微光显微镜
- 外文名称 Emmi
- 类型 分析工具
- 作用 故障分析

侦测得到亮来自点之情况:
会产生亮点的缺陷 - 漏电结(Junction Leakage); 接触毛刺(Contact spiking); (热电子效应)Hot electrons;闩锁效应( Latch-Up)360百科;氧化层漏电( Gate oxide defects / Leakage(F-N current));多晶硅晶须(
Poly杨渐-silicon filaments); 衬底损伤(Substrate damage); (物理损伤)Mechanical damage等。
原来就会有的亮点 - Saturated/ Active bipolar tra训美缩八杆感示nsistors; -S杆很兴血展江雷aturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse;biased diodes(break down) 等。

侦测不到铁音危五造亮点之情况:
不会出现亮吃点的故障 - 欧姆接触;金属互联短路;表面反型层;硅导电通路等。
亮点被遮蔽之情况 - Bur步确晶清ied Junctions及Leakage sites under met讨业移好决概al,这种情况可以采用backside模式,但是只能探测近红外波段的发光,且需要减薄及抛光处理。
O际顶商领础却BIRCH(光束诱导电阻变化)
光诱导电阻变化(OBIRCH)模式能快速准确的进行IC指松送光境沉生预越准房中元件的短路、布线和伯才兰因周升误某训通孔互联中的空洞、金玉属中的硅沉积等缺陷。其工作原理是利用激光束在恒定电压下的器件表面进行扫描,激光束部分能量转化为财机否端化热能,如果金属互联线存在缺陷,缺陷处温度将无法迅速通过金属线传导散开,这将导致缺陷处温度累计升高,并进一步引起金属线电阻以及电流变化,通过变化区域与激光束扫描位置的对应,定位缺陷位置。OBIRCH模式具有高分辨能力,其测试精度可达nA级。
PEM(Pho假架改况集与镇to Emission Microscope)
光束诱导电阻变化(OBIRCH)功能与光发射(EMMI节单触期动落)常见集成在一个检测系统先愿跟死细海依消道封足,合称PEM(Photo Emission Microsc从ope),两者互为补充,能够很好的应对绝大多数失效模式。
晨星半导体公司MSTAR平台
深尔规 EMMI (Enhance头针太旧刚之所呢无倒d Man Machine Interface) 加强版人机交互界面,采用EMMI Studio工具编辑界面。
