Burstein-Moss效应

当半导体重掺杂时，费米能级进入导带，本征光吸收边向高能方向移动的现象称为Burstein-Moss效应。通常发生在半导体重掺杂时。

• 中文名 Burstein-Moss效应
• 外文名 moss-burstein effect
• h 普朗克常量
• K 玻尔兹曼常数

　　莫斯-布尔斯坦效应(moss-burstein effect)是由泡利不相容原理引起的，当在半导体中掺杂增加时其带隙改变，价带顶和导带中未占据能态发生分离。n型重掺杂时由于费米能级在导带中而使带隙改变加来自大(p型时在价带中)，由于载子浓度过高，在导带已经有一些电子填入时，使电子从价带跃迁至导带则需要更多的能量，满带阻碍热激发和光激发，从而效应是n型半导体中可以增强能带间隙宽，从而影响某物质的货千里微夜毫束荧光发射和紫外吸收的峰位置。该效应称之为Burstein Mo360百科ss effect(莫起英象久检斯-布尔斯坦效应)，也称之为蓝移效应。其常用于荧光光谱的解释中。

　　n型半导体材料波长移动计算公式:ΔEBM=[1+(m*e)/(m*h)][(3/π)2员点排林/3(h2)/(8m*e)n2/3-4KT]

　　式中:h 普朗克常量;K，玻尔兹曼常数;T，绝度温度占林外束普显菜云;n，导带电子浓度;m*e，m*h分别为电子和但航友起聚空穴的有效质量。