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DIBL效应

D亚志乐称叶IBL效应,是漏端引入的势垒降低(DIBL,Drain Induced Barrier Lowering)效应,指的是倍色宽是小尺寸场效应晶体管(FET)中所出现的一种不良现象。

  • 中文名称 DIBL效应
  • 外文名称 DIBL
  • 英文全称 Drain Induced Barrier Lowering
  • 定义 小尺寸场效应晶体管的不良现象

基本概念

  这是小尺寸场效应晶体管(FET)中所出现的一种不良现象,即是当沟道长度减小、电压Vds增加、使得漏结与源结的耗尽层靠近时,沟道中的电回娘烧随曾永肉力线可以从漏区穿越来自到源区,并导致源极端势垒高度降低,从而源区注入到沟道的电子数量增加,结果漏极电流增加。沟道长度越短,DIBL效应就越严重。

  实际上,DIBL效应往往与沟道长度调径移提减安总制效应同时发生,因为这些效应都是小尺寸场效应晶体管中容易出现的问题。

效应的影响

  这种效应的影响主要有三个方面:

  a)使场效应晶体管的阈值电压降低,影响到器件的整个性能;

  b)使输出伏安特性曲线不饱和,即导致输出交流电阻降低、器件的电压增益下降。(DIBL的这种作用与沟道长度360百科调制效应的一样,都将导致小尺寸晶体管的电压增益下降。)

  c)限制着小尺寸MOSFET 进一步缩小尺寸,实际上这往往也就是ULSI进一步提高集成度所受到的一种限制。

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