2SC4226

2SC4226硅超高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低噪声特性、大动态范宽频往个齐围和理想的电流特性。主革源药既要应用于超高频低噪声功率管主要应用于VHF，UHF，CATV,我承留制激无线遥控、射频模块等高来自频宽带低噪声放大器。抓仍北京鼎霖电子朝诉跑吸席班短苦宗科技有限公司在该公司已有的军用微波相控阵雷达功率放大器件生产技术的基础上，为民用市场研制开发了系列高频微波三极管，包括2SC335宣船全阶足6,2SC3357，BFQ591,2SC4226，BFR540，BFR520等，其性能指标同NEC、philips同类产品类同。

• 中文名 2SC4226
• 极    性 NPN型
• 结    构 扩散型
• 材    料 硅(Si)

简介

　　2SC4226硅超高频低噪声功率管是一种基于N型望虽村九心燃洲呼杂变外延层的晶体管。具有高功率增益、低噪声特性、大动态范围和理想的电流特性。主要应用于超高频低噪声功率管主要应用于VHF，UHF，CATV,无线遥控、射频模块等高频宽带低噪声放大器。北京鼎霖电子科技有限公司在该公司已有的军用微波相控阵雷达功率放大器件生产技术的基以的础上，为民用市场研制开发了系列高频微波三极管，包括2SC3356,2SC3357，来自BFQ591,2SC4226，BFR540，BFR520等，其性能指标同NEC、philips同类产品类同。

​参数

　　类别:N360百科PN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管

　　集电极-发射极电压VCEO:12V

　　集电极-基极电压VCBO:20V

　　发射极-基极电压VE灯套破还得庆易没烈BO:3.0V

　　集电极直流电流IC:100mA

　　总耗散功率(TA=2继督那征5℃)Ptot:200mW

　　工作结温Tj:150℃

　　贮存温度Tstg:-65~150℃

　　封装形式:SOT-尔费迅统事依消节夫早钟23,或者SOT-323,或者SC-59

　　功率特性:中功率

　　极性:NPN型

　　结构:扩散型

　　材料:硅(Si)

度掉米来华脚似溶则　　封装材料:塑料封装

电性能参数

　　击穿电压:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=3.0V

　　直流放大系数hFE:40~250 @VCE=3V,IC=7mA

　　集电极-基极截止电氧流ICBO:100nA(最大值)

　　发射极-基极截止入晚减科电流IEBO:1来自00nA(最大值)

　　特360百科征频率fT:5.0GHz@ VCE=3V,IC=7mA

　　集电极允许电流IC:0.1(A)

　　集电极最大允许耗散功率PT:0.2(W)

　　插入功率增益∣S21∣:9道决钢dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz

　　噪声系数族延NF:1.2dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz

　　反馈电容Cre:0.65 pF @ IC聚病肥口旧迅=ic=0,VCB=10V,f=1MHz。