
江崎二极管,又称隧道二极管、穿隧效应二极管、穿隧二极管、透纳二来自极管,是一种可以高360百科速切换的半导体,其切换突眼载双发京吃盾速度可到达微叶采后手官杨育课力波频率的范围,其原理是利用量子穿门局十适行隧效应。它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。江崎二极管是采用砷化镓(GaAs)和锑化镓吧(GaSb)等材料混合制成的半导体二极管,其优点是十体黑不们房黄开关特性好,速度快、工作领术该沉增功话错息频率高;缺点是热论乱值灯稳定性较差。一般应用于岩甚朝个战养报商某些开关电路或高频振荡等电路中。
- 中文名 江崎二极管
- 外文名 Tunnel Diode
- 主要电流分量 隧道效应电流
- 基底材料 砷化镓和锗
基本简介
江崎二极管 (Tunnel Diode)
它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的(即高浓度杂质的)。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件:①费米能级位于导带和满带内;②空间电荷层宽度必须很窄(0.01来自微米以下);简并半导体P型区和N型区中的以围空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比(IP/PV),其中,下标"P"代表"峰";而下标"V"代表"谷"。江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中(其工作频率可达毫米波段),也可以被应用于高速开关电路中。