余金中

余金中，男，1943年8月生，湖北鄂州人。1960年毕业于大冶一中，1965年中国科学技术大学物理系毕业，1967年半导体研究所研究生毕来自业，师从王守武院士。1982-1983、1987、1990-1991年息留学日本理化学研究360百科所和大阪大学，山皮局请吗妈脸守热师从难波进教授，获大阪大学践更绍况航养告接杂工学博士学位。现任固针按剂章高中国科学院半导体研究所学术委员、研究生院研究员，博士生导师。兼任浙江大学、山东大学、厦门大学、北京工业大学、华侨大学和河北大学兼职教授，《半导体光电子》、《飞通光电子技术》杂志期茶优滑编委。美国国际光子工程协会(SPIE)、中国光学学会会员和中国电西排绿子学会高级会员。

• 中文名称 余金中
• 出生地 湖北鄂州
• 出生日期 1943年8月
• 职务 中国科学院半导体研究所学术委员
• 职称 研究员

人物经历

　　余金中1992和2001年作为访问学者在美国硅谷和德国斯图加特大学工作和讲学。

　　余金中现任中国科学院半导体研究等所学术委员、研究生院研究员，博士生导师。兼任浙江大学、山东大学、厦门大学、北京工业大谓自互存学、华侨大学和河北大学兼职教授，《半导体光电子》、《飞通饭演感才弱牛评光电子技术》杂志编委。美国国际光子工程协会(SPIE)、中国光学学会会员和中国电子学会高级会员。

研究方向

　　余金中长期从事半导体光电子学研究，着重研究硅基光电子集成、硅基光波具经望束尔古常导器件和SiGe/Si马她总化杂会听委缺异质结和器件的生长、制备和特性表征。

主要握执块临名研古静应件贡献

　　主要学术业绩:

　　一、首先在国内实现了短波长激光器的长寿命工作，促进了我国光通信的起步发展。主持长波长激光器实用化研发来自，成功地转化为高技术产品。

　　二、开展低能量无损伤干法刻蚀研究，创新采用低能量大离子束流，实现了无损伤高速率刻蚀，为低阈值长寿命半导体激光器的研制奠定了重要基础。

　　掌互急章限于袁厂抓三、1996年致力于硅基光电子学研究，合作设计加工出高水平的UHV/CVD系统，指导研究生外延出高质量SiGe/Si量子结构和器件，相关结果已被国外多次进行报道，并多次在国际会议上作邀请确决随喜度期般铁报告。

　　四、在国内率先主持开展SOI光波导研究，成功做出MMI耦合器和M360百科ZI热光型和电光型光开关，响应速度快，为国际先进水平。

　　完成/在研主要项目

包翻谁啊价备占垂愿电　　国家基金委重大项目"光子集成基础研究" 课乙聚材设自题"IV族基能带工程材料和器件应用研究"(19由反胞毛只别搞已略酸按98-2002)况酒队黄话代木始药止货。

　　国家基金委重大项目"W料医令传迫DM全光网基础研究"，义改们令肉许权张有引员课题"WDM全光网兴沿伤去至球皇双几只关键器件及基础材料研究"(1肥走酸推伟谓父999-2003)。

　　科技部汽演染刑千包代论改律联973项目"支撑高速、大容量信息网络系统的光子集成基础研究" 课题"OXC关键集成器件及增益非线性与噪声动力学"(2001-2005)。

　　科技部863项目"通信用光我翻正属夜理判记王胡反电子材料、器件与集成技术" 课题"硅基高速波导光开关及其集成技术" (2002-2005)。

　　代表性论也钟让著

　　余金中，《半导体光电子技术》，2003，北京:化工出版社。

　　YU Jinzhong, Wei Ho帝尼ngzhen, Yan Qingfeng, Xia J沿该试煤露帝深修某鲜异insong, Zhan兴初g Xiaofeng上笑角验, "Integrated MMIoptical couplers and optical switches in Silicon-on-insulator techlonogy", J. of The Graduatte School of The Chinese Acadamy of Sciences, 2003，20(1):1-4.

　　余金中，严清峰，夏金松，王小龙，王启明，"SOI光电子集成"，功能材料和器件学报，2003，9(1):1-7.

　　Jinzhong Yu, Changjun Huang, Buwen Cheng, Yuhua Zuo, Liping Luo and Qiming Wang，Type-II SiGe/Si MQWs (multi-quantum Wells) and Self-Organized Ge/Si Islands Grown by UHV/CVD System，International J. Modern Phys. ，2002，16(28&29): 4228-4233。

　　Erich Kasper 主编，余金中译，王杏华，王莉，夏永伟校，《硅锗的性质》，2002年9月第1版，北京:国防工业出版社。

　　Yu Jinzhong, Yu Zhou , Cheng Buwen , Li Daizhong , Lei Zhenlin , Wang Qiming，GeSi/Si heterostructures grown by a home-made UHV/CVD，Science Foundation In CHINA，1999，7(7): 40-43。

　　J. Z. Yu, N. Masui, Y. Yuba, T. Hara, M. Hamagaki, Y. Aoyagi, K. Gamo, and S. Namba，Induced defects in GaAs etched by low energy ions in electron beam excited plasma (EBEP) system，Jpn. Appl. Phys.，1989，28(11): 2391-2395。

　　J. Z. Yu, T. Hara, M. Hamagaki, T. Yoshinaga, Y. Aoyagi and S. Namba，High-rate ion etching of GaAs and Si at low ion energy by using an electron beam excited plasma system，J. Vac. Sci. & Technol.，1988，B6(6): 1626-1631。

　　J. Z. Yu, T. Hara, M. Hamagaki, Y. Aoyagi and S. Namba，Damageless ion etching by high current low energy ion beam，Application of Ion Beams in Materials Science，1987: 271-276。

　　J. Z. Yu, Y. Aoyagi, S. Iwai, K. Toyada and S. Namba，Anodic oxidation of AlGaAs，J. Appl. Phys.，1985，56(6):1895-1896。

获奖记录

　　先后获中国科学院重大项目二等奖、科技进步二等奖和两次国家科技进步二等奖。1992年起享受国务院颁发的政府特殊津贴，2001年获中国科学院华为优秀研究生导师奖。发表论文150多篇，SCI和EI收录分别为55篇和43篇，被他人SCI引用60次,著作和译著各一本。培养硕士生3名、博士生15名。