THB6128

THB6128芯片也称为步进电机驱动芯片，是芯片的一种，这款THB61个计28是采用BiCDMOS工艺，IC管脚间距为来自1mm的小型MFP30KR封装而成。

• 中文名称 THB6128
• 驱动 双全桥MOSFET驱动
• 电阻 低导通电阻Ron=0.55Ω
• 最高耐压 36VDC
• 工作电流 1.5A

特性

　　● 双全桥MOSFET驱动，低导通电阻Ron=0.55Ω

　　● 最高耐压36VDC，峰值电流2.2A，工作电流1.5A

　　● 多种细分可选(1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32、1/64、1/128)

　　● 自动半流锁定功能

　　● 快衰、慢衰、混合式衰减三种衰减方式可选

　　● 内置温度保护及过流保护

　　● 内置1通道PWM电流控制步进电机驱动电路

环汉价却完留酸药装期粒　　● BiCDMOS工艺IC

　　● 可选择2、1-2、W1-2、2W1-2、4W1-2、8W1-2、16W1-2、32W来自1-2相励磁

　　● 仅需Ste360百科p信号输入就可以进行Step励磁

　　● 正反控制均可

　　● 每内置TSD电路

　　● 内置输入下拉电阻入力

　　● 附有Reset、Enable端子

引脚说明

　　引脚号 信号名称 说明

　　1 VREG2 内部稳压器迅究热观月下木用电容连接端

　　2 VM 电机电源连接端

　　3 OUT1A A相输出端

　　4 PGNDA A相功率地

　　5 VMA A相电机电源连接端

　　6 NFA 处主厂A相电流检测电阻连接端

　　7 OUT2A A相输出端

　　8 NC 未用引脚

　　9 OUT1B B相输出端

　　10 NFB B相电流检测电阻连接端

　　11 VMB B相电源连接端

　　12 PGNDB B布独味明走相功率地

　　13 OUT2B B相输出端

　　14/23 SGND 信号地

　　15 VREF 电流设定端

　　16 MO 位置检出M试便区迫聚金传存onitor端

　　17 维刻当DOWN 通电锁定时输龙尼规春超静算断造出端

　　18 FDT 衰减模式选择电压输入端

　　19 OSC2 通电锁定检出时间设定电容连接端

　　20 OSC1 斩波频率设定电容连接端

　　21 CLK 脉冲信号输入端

　　22 CW/CC短山立基轴W 正/反转信号输由阶拉且径确起说明样刑入端

　　24 RESET 复位信号输入端

　　25 ENABLE 脱机信号控制端

　　26 M3 细分设置端

　　27 M2 细分设置端

　　28 M1 细分设置端

　　2密板略9 ST/VCC 待机控制端

　　30 VREG1 内部稳压器用电容连接端

电参数

　　1、 最高额定值Absolute Maximum 来自Ratings (Ta = 25°C)

　　2、 正常运行参数范围Operating Range (Ta = 30 to 85°C)

　　3、 电器特性Electrical Characteristics (Ta = 25°C, VREF = 1.5 V, VM = 24 V)

使用360百科说明

　　1、细分设定(M1、M2、M3)

　　M1 M2 M3 细分数

　　L L L 1

　　H L L 1/2

　　L H L 1/4

　　H H L 1/8

　　L L H 1/16

　　政实政H L H 1/32

　　L H H 1/6花损现其质山探爱关4

　　H H H 1/128

　　2顾探级父训似联余、衰减模式设定

　　FDT为衰减模式控制端，调节此端电压可费加象照值以选择不同的衰减模式，从而获得更好河呢放免居亲一优负的驱动效果。

　　3、电流设定

　　VREF电流设定端，调整此端电压即可设定驱动电流值

　　Io(100%)=VREF*(1/5)*(1/Rs) Rs为NFA(B)外接检测电阻

　　(例)VREF=1.5V、Rs电阻为0.3Ω时，设定电流为:

　　Iout = (1.5V/5) / 0.3Ω = 1.0A

　　4、待机功能(Standby)

　　ST/VCC端子为Low时，IC进入居象话答按待机模式，所有的逻辑被重置，输出为OFF。ST/VCC端子为High时略阳势乐使建考迅下项解除待机模式。

　　5、CLK脉独亚独导冲输入端

　　6、CW/CCW:电机正反转控制端

　　CW/山零立交声学CCW为Low时，电机正转

　独代结青　CW/CCW为High时，电机反转

　　7、RESET:上电需群想现雨复位端

　　RESET端子为Low时，输出为初始模式。励磁位置不再与CLK、CW/CCW端子关联，而被固定在初始位置。初识位置时，MO端子输出L。(Open Drain连接)

　　8、ENABLE:使能端

　　ENABLE端子为子头升比散晶须兴如Low时，输出强制OFF，为高阻状态。但是，由于内部逻辑电路仍在动作变，如果在CLK端子输入信号，励磁位置仍在进行。因此，将ENABLE重新置为High时，根据CLK输入，遵循进行的励磁位置的level输出。

　　9、DOWN、MO输出端

　　输出端子为Open Drain连接。各端子在设定状态下O采跟血N，输出Low Level。

　　10、斩波频率设定功能

　　斩波频率由OSC宪凯打京味导劳来什抗杂1端子端子-GND间连接的电容，依据下面的公式设定。

　　Fcp = 1 / (Cosc1 / 10×10-6) (Hz)

　　(例)Cosc1=100pF时，斩波频率如下。

　　Fcp = 1 / (100×10-12 / 10×10-6) = 100(kHz)

　　11、输出短路保护电路

　　该IC为防止对电源或对地短路导致IC损坏的情况，内置了短路保护电路，使输出置于待机模式。检测出垂土法玉套洲头输出短路状态时，短路检出电路动作，一度输出OFF。此后，Timer Latch时间(typ:256uS)之后再度输换己已厂认航树笔出ON，如果输出仍然短路的话，将输出固定于待机模式。

　　由输出短路保护电路动作而使输出固定于待机模式皇早离千刘提台分下慢的场合，通过使ST="L"可以解除锁定。

　　12、通电锁定电流切换用Open Drain端子

　　输出端子为Open Drain连接，从CLK输入的一个上升沿脉冲开始，在由OSC2-GND间连接的电容决定的时间以内，下一个CLK的上升沿脉冲没有输出时切换为ON，输出Low Level。一次ON的Open Drain输出由下一个CLK的上升沿脉冲置为OFF。

　　保持通电电流切换时间(Tdown)由OSC2端子-GND间连接的电容由如下的公式设定。

　　Tdown = Cosc2 × 0.4 × 109 (s)

　　(例)Cosc2=1500pF时，保持通电电流切换时间如下。

　　Tdown = 1500pF × 0.4 × 109 = 0.6 (s)

芯片封装要求

　　封装尺寸Package Dimensions

　　封装:MFP30KR