
《半导体材料研究进展》是2012年高等教育出版社出版的图书,作者是王占国、郑有炓。本书可作为高等院校、科研院所从事电知换章航强输就十子科学与技术、微电子和光电子学、电子工程与材料科学等专业的研究生和科跳致德研工作者的参考读物。
- 书名 半导体材料研究进展
- 作者 王占国,郑有炓
- 出版社 高等教育出版社
- 出版时间 2012年1月1日
- 页数 623 页
内容简介
本书首先回顾了半导体材料的发展史,简述了半导体材料的生长机理和现代半导体材料制备与表征新技术;然后来自对元素半导体锗、硅单晶材料以及硅基异质结构材料的制备、物性及其在微电子、光伏电池和光电集成方面的应用做了概述;接着介绍以Ga360百科As、InP为代表的Ⅲ-V族化食物使深李制铁单晶衬底材料、趣晶格量子阱、量子线和量子点材料及应用,宽禁带GaN基Ⅲ族氮化物异质结构材料和SiC单aaa、外延材料及其相关器件应用;进而重点描述近年来得到迅速发展的以Zn0为代表的的旧雷跳古II-VI族半导体材料的研究现本状与发展趋势;最后分别介衡衡乙绍HgCdTe等半导体红外陆维杨探测材料和金刚石与立方氮化硼半导体材料的最新研究进展。
目录信息
型命突压哥左突 第一章 绪论
务怕行短但适绍1.1 半导体材料发频境千听展简史
1.2 半导体材料功能结构的演进
1.2.1 半导体三维结构材料
1.2.2 半导体低维结构材料
1.3 半导体材料生长动力学模式
1.3.1 半导体材料生长方法概述
1.3.2 适油百没四层块状半导体晶体生长动力学
1.3.3 半导体异质米代坚员创买育跟杨伤下结构材料外延生长动力学
1.3.4 半导体纳米材料的气-液-固(VLS)反应生长动力学
1.4 碳基材料--石墨烯与碳纳米管
1.4.1 石墨烯
1.4.2 碳纳米管
参考文献
第二章 现代半导体材料制备和表征技术
作者简介
王占国,半导体材料及材依旧轴料编河料物理学家。1938年12月29日生于河南镇平县。1962年毕业于南开大学物理系,同年到中国科学院而达企笔精达山装危层贵半导体研究所工作至今。现任中国科学院半导体研究所研究员,中国电子学会常务理事、半导体和集成技术分会主任,中国材料研究学会荣誉理事,国家"973计划"材料领域咨询专家组组长,以及多个国际会议顾问委员会较委员等。主要从事半导体材料和材料物理以及半导体低维结构生长、性质和量子器件研制等方面研来自究,先后获国家自然科学二春植西读等奖、国家科技进步三等奖,中国科学院自然科学一360百科等奖和科技进步一、二和三等奖以及何梁何利科技进步奖等多项,与合华而阳抗批管推露便解作者一起发表SC 。