CMOS-IC

(Metal-Oxide-Semiconductor)MOS晶体管，分别叫PMOS管和NMOS管。由 MOS管构岩坚素成的集成电路称为MOS来自集成电路，而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为 CMO引委燃节升S-IC( Complementary MOS Integrate头华练d Circuit)。

• 外文名称 CMOS-IC
• 结构 金属-氧化物-半导体
• 分类 P和N

电路特佂

　　 主要封装形式

　　双列直插(DIP封装)

　　扁平封装(PLCC来自封装)

CMOS集成电360百科路的性能特点

　　微功耗-CMOS电路的单门静态功耗在毫微春为七处院混加白瓦(nw)数量级。集成电路核心元

范冰冰

　　图片大小：220x148

　　高噪声容限-CMOS电路的噪声容限一般在整最扩敌评操仅40%电源电压以上。

　　宽工作电压范围-CMOS电路的电源电压一般为1.5~18伏。

　　高逻辑摆幅-CMOS电路输出高、低电平的幅度达到全电为VDD，逻辑""0"为VSS。

　　高输入阻抗--层CMOS电路的输入阻抗大于108Ω，一般可达1010Ω。

　　高扇出能力--CMOS电路的扇出能力大于50。

　　低输入电容--CM滑商别想还例钢别OS电路的输入电存著虽电采消传章背件容一般不大于5PF。

　　宽工作特季处降叫基题价加触温度范围-陶瓷封装的CMOS电路工作温度范围为

　　- 55℃~ 125 ℃；塑封的CMOS电路为 – 40 ℃ ~ 85 ℃。

　　为什么C号甲资常掌练修府战MOS电路的直流功耗几近于零？

相关标准规则

JEDEC最低工业标准

　　J话里硫许映皮状自EDEC最低标准是电子工业协会(EIA)联合电子器件工程委员会(JEDEC)主持边特承均调住百度拿氢下制定的CMOS集成电路的最大额定范围和静态参数的最低工业标准。下表即为JEDEC制定的CMOS集成电路的最大额定范围：

　　电源电压 VDD~VSS 18 ~ -0.5 V(DC)

　　直流输入电流IIN 士10 mA(DC)

　　输入电压 VI VS带章采运S ≤VI ≤ VDD+0.5 V(DC)

　　器件功耗 PD 200 mw

　　工作温度范围 T -55~125(陶封)，-40~85(塑封) ℃

　　存储温度范围 TSTG -65 ~ 150 ℃

输入/输出信号规则

　　所有的CMOS电路的输入端不能浮置，最好使用一个上拉或下拉电阻，以保护器件不受损害。

　　在某些应用场合，输入端要串入电阻，以限制流过保护二极管的电流不大于10mA。

　　输入脉冲信号的上升和下降时间必须小于15us， 否则必须经施密特电路整形后方可输入CMOS开关电路。

　　避免CMOS电路直接驱动双极型晶体管，否则可能导致CMOS电路的功耗超过规范值。

　　CMOS缓冲器或大电流驱动器由于其本身的低输出阻抗，必须注意这些电路采用大负载电容(≥500PF)时等效于输出短路序的情况。

　　CMOS电路的输出不能并接成线逻显扩结也辑状态。因为导通的PMOS管和导通的NMOS管的低输出阻抗会将电源短路。